Танталовый лист 0,15х60х100 мм ТВЧ в Ярославле

Теплопроводность танталового листа при комнатной температуре (20°C) составляет приблизительно 57.5 Вт/(м·К). Это относительно высокая теплопроводность, что делает тантал пригодным для использования в теплообменном оборудовании.

Толщина танталового листа (например, 0.5 мм или 1.0 мм) не оказывает прямого влияния на его предел прочности при растяжении как материальной характеристики. Однако, более толстый лист обеспечивает большую общую несущую способность конструкции, повышая ее сопротивление разрушению под нагрузкой.

Выбор толщины танталового листа для химического реактора объемом 10 м³ определяется рабочим давлением и температурой, агрессивностью среды, скоростью коррозии, требованиями к теплопередаче, а также механическими нагрузками и допустимыми напряжениями. Инженерный расчет на прочность и долговечность является ключевым.

К плоскостности танталового листа предъявляются требования, определяемые стандартами. Они минимизируют волнистость и коробление, обеспечивая равномерность поверхности. Допуски на плоскостность важны для дальнейшей обработки листа, например, для сварки или напыления.

Преимущества использования танталового листа для футеровки емкостей, работающих с высокоагрессивными средами, включают исключительную коррозионную стойкость, что значительно продлевает срок службы оборудования, снижает затраты на обслуживание и обеспечивает высокую чистоту продукта за счет отсутствия загрязнений от коррозии.

В производстве анодов для электролитических конденсаторов применяются танталовые листы высокой чистоты, прежде всего марки ТВЧ. Его способность к формированию стабильной и тонкой диэлектрической оксидной пленки с высоким пробивным напряжением критична для характеристик конденсатора.

Удельная теплоемкость танталового листа при комнатной температуре составляет приблизительно 0.14 Дж/(г·К). С повышением температуры удельная теплоемкость тантала увеличивается, достигая значений около 0.23 Дж/(г·К) при 1000°C. Эти значения используются в теплотехнических расчетах.